Найден алгоритм, который сделает ферроэлектрическую память менее "забывчивой"

МОСКВА, 29 апреля. /ТАСС/. Исследователи из России разработали алгоритм, позволяющий значительно уменьшить риск потери данных в инновационных "флешках" на базе ферроэлектриков за счет более точного предсказания того, как по мере эксплуатации этих устройств будут меняться напряжения, при которых происходит перезапись или удаление информации в данных ячейках памяти. Об этом сообщила МФТИ.