Разработаны методы контроля качества полупроводников для электроники будущего
САНКТ-ПЕТЕРБУРГ, 11 марта. /ТАСС/. Ученые Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета "ЛЭТИ" разработали методы контроля качества полупроводников из карбида кремния для производства электроники будущего. Технология позволяет характеризовать дефекты на высоком уровне в промышленных масштабах, сообщили ТАСС в пресс-службе вуза.
"Поскольку карбид кремния, в отличие от кремния, относительно новый материал, обеспечение его качества является первоочередной задачей. Это связано с тем, что одной из основных и до конца не решенных проблем, возникающих при синтезе карбида кремния, является образование дефектов, которые могут значительно ухудшить параметры приборов. Несомненно, требуется 100% контроль качества каждой пластины, так как стоимость материала и производства на его основе электронных компонентов, к сожалению, пока еще очень высоки. Существование даже небольшого количества дефектов сулит убытки для любого производителя", - привели в пресс-службе слова проректора по научной и инновационной деятельности СПбГЭТУ "ЛЭТИ" Александра Семенова.
Для решения поставленной задачи в СПбГЭТУ "ЛЭТИ" организован дизайн-центр силовой электроники, где специалисты разработали методы контроля качества пластин карбида кремния (SiC-пластин). Они позволяют фиксировать дефекты с последующим их картированием по поверхности. Это первая в России подобная технология.
По данным пресс-службы, разработка и внедрение в промышленность новой компонентной базы электроники на основе карбида кремния является одной из ключевых задач, которою ЛЭТИ решает в рамках программы "Приоритет 2030". Эта электроника по надежности, компактности и эффективности является перспективной заменой кремниевым устройствам.
Разработанные в ЛЭТИ методики контроля реализуются на промышленной установке оптической дефектоскопии широкозонных полупроводников. Оптическая характеризация SiC-пластин диаметром до 200 мм осуществляется путем сопоставительного анализа измеренных данных с данными, имеющимися в библиотеке сравнения.
"Сейчас мы совместно с ключевыми партнерами СПбГЭТУ "ЛЭТИ" из ГК "Элемент" работаем над лицензированием предложенной технологии, чтобы наш дизайн-центр мог официально давать заключения предприятиям о качестве карбида кремния, который для производства электроники они закупают как в России, так и за рубежом. Например, ГК "Элемент" в рамках проекта "Кубик" планирует в ближайшие годы запустить предприятие, серийно выпускающее диоды и транзисторы на основе карбида кремния. Предполагается, что там будет активно применяться наша технология", - рассказал Семенов.