САНКТ-ПЕТЕРБУРГ, 11 июля. /ТАСС/. Передовая инженерная школа (ПИШ) Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета ЛЭТИ в этом году начнет подготовку специалистов по разработке электроники на основе карбида кремния (SiC) - перспективного материала новых типов устройств. Новая программа позволит готовить кадры для индустрии, которая должна стать одним из направлений технологического лидерства страны, сообщил ТАСС заместитель заведующего кафедрой микро- и наноэлектроники по учебно-методической работе ЛЭТИ Андрей Корляков.
"За годы был накоплен уникальный опыт, подготовлен квалифицированный кадровый состав, современная технологическая база, а главное - отработана уникальная производственная цепочка от синтеза материала до создания готовых устройств. На основе этого базиса мы сформулировали уникальный российский образовательный продукт, направленный на комплексную практикоориентированную подготовку специалистов в сфере силовой электроники", - рассказал Корляков.
Он отметил, что привычная электроника на кремнии по многим характеристикам подошла к пределам возможностей - для дальнейшего роста производительности и уменьшения размеров техники необходимы другие материалы. Один из наиболее перспективных - карбид кремния, над внедрением которого работают ученые по всему миру. Его качества позволяют использовать этот передовой материал в авиации, космической технике, системах связи, солнечной энергетике и электротранспорте.
В России активное внедрение карбида кремния в электронике требует создания новых производств и широкой модернизации уже действующих. Это невозможно без узкопрофильных специалистов по работе с передовым материалом, которые могли бы вести всю цепочку - от синтеза карбида кремния до разработки новых устройств на его основе. Новая магистерская программа "Силовая микроэлектроника" в ПИШ ЛЭТИ должна помочь решить эту проблему.
В рамках программы студенты освоят основы технологии широкозонных полупроводников, разработку конструкции и технологии элементов силовой микроэлектроники, моделирование элементов, систему автоматизированного проектирования, испытания и диагностику компонентов силовой микроэлектроники. Отмечается, что на программу выделено 125 бюджетных и 15 платных мест. Прием абитуриентов пройдет в рамках контрольных цифр на бюджетной основе, обучение стартует в сентябре 2024 года.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" был основан в 1886 году и стал первым в Европе высшим учебным заведением в области электротехники. Сегодня ЛЭТИ - один из ведущих технических университетов России и участник программы "Приоритет-2030". В университете обучается 11 тыс. студентов, среди его выпускников выдающиеся ученые, в том числе нобелевский лауреат Жорес Алферов.
