Разработка ЛЭТИ повысила качество приборов на новых физических принципах

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ, 22 февраля. /ТАСС/. Ученые Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета ЛЭТИ разработали теоретическую модель, которая позволяет создавать сложные полупроводники (сверхрешетки) для компактных источников терагерцевого излучения. Об этом сообщил ТАСС руководитель лаборатории микро- и наноэлектроники ЛЭТИ Буравлев.