В МФТИ придумали, как заставить работать посткремниевые транзисторы
Учёные МФТИ решили ключевую проблему на пути к промышленным транзисторам на дисульфиде молибдена атомарной толщины. Такие транзисторы в разы меньше самых миниатюрных кремниевых аналогов и могут использоваться для создания гибкой и прозрачной электроники. Результаты работы опубликованы в журнале Vacuum.
Учёные МФТИ решили ключевую проблему на пути к промышленным транзисторам на дисульфиде молибдена атомарной толщины. Такие транзисторы в разы меньше самых миниатюрных кремниевых аналогов и могут использоваться для создания гибкой и прозрачной электроники. Результаты работы опубликованы в журнале Vacuum.
Главная проблема на пути к его применению – при вакуумном напылении электродов разрушается хрупкая структура материала. Атомы металла буквально выбивают атомы серы с поверхности, создавая дефекты и нарушая электрический контакт.
Двумерные материалы давно обещают революцию в микроэлектронике, но между лабораторией и реальным производством стоит целый ряд технологических проблем. Одна из них — как подключить металлический электрод к материалу толщиной в атом, не разрушив его. Наша работа даёт конкретный ответ на этот вопрос», - Роман Романов, старший научный сотрудник Лаборатории атомно-слоевого осаждения МФТИ.
Учёные МФТИ решили эту проблему, напылив между электродом и полупроводником изолирующую прослойку из диоксида титана толщиной всего в несколько атомов при помощи атомно-слоевого осаждения.
Эта прослойка выполняет роль «туннельного буфера». С одной стороны, она химически пассивирует поверхность, не позволяя атомам металла нарушать структуру полупроводника. С другой — она настолько тонка, что электроны свободно проходят сквозь неё за счет квантового эффекта туннелирования», - Илья Завидовский, старший научный сотрудник Центра фотоники и двумерных материалов МФТИ.
Подписывайтесь на наши новости в
Читайте нас